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SENTECH二維材料刻蝕能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體,而不受紫外線(xiàn)輻射或離子轟擊。
原子層沉積設(shè)備:真遠(yuǎn)程等離子體源能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體,而不受紫外線(xiàn)輻射或離子轟擊。
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